Nexperia USA Inc. - PSMN027-100XS,127

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PSMN027-100XS,127 Preços (USD) [74221pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.46618

Número da peça:
PSMN027-100XS,127
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN027-100XS,127 Atributos do produto

Número da peça : PSMN027-100XS,127
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26.8 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1624pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 41.1W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab