ON Semiconductor - NVATS4A104PZT4G

KEY Part #: K6393108

NVATS4A104PZT4G Preços (USD) [108003pcs Estoque]

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Número da peça:
NVATS4A104PZT4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVATS4A104PZT4G Atributos do produto

Número da peça : NVATS4A104PZT4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 82A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3950pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 72W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ATPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63