APT10090BLLG Preços (USD) [5235pcs Estoque]
- 1 pcs$9.10384
- 10 pcs$8.27546
- 100 pcs$6.69110
- Número da peça:
- APT10090BLLG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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APT10090BLLG Atributos do produto
Número da peça :
APT10090BLLG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Series :
POWER MOS 7®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1969pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
298W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 [B]
Pacote / caso :
TO-247-3
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