Renesas Electronics America - RJK03M5DNS-00#J5

KEY Part #: K6393782

RJK03M5DNS-00#J5 Preços (USD) [226443pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.47663

Número da peça:
RJK03M5DNS-00#J5
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK03M5DNS-00#J5 Atributos do produto

Número da peça : RJK03M5DNS-00#J5
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 15W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HWSON (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN