RJK03M5DNS-00#J5 Preços (USD) [226443pcs Estoque]
- 1 pcs$0.47663
- Número da peça:
- RJK03M5DNS-00#J5
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 25A HWSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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RJK03M5DNS-00#J5 Atributos do produto
Número da peça :
RJK03M5DNS-00#J5
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1890pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
15W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HWSON (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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