FQB4N80TM Preços (USD) [102947pcs Estoque]
- 1 pcs$0.37982
- 800 pcs$0.34882
- Número da peça:
- FQB4N80TM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQB4N80TM electronic components. FQB4N80TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB4N80TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB4N80TM Atributos do produto
Número da peça :
FQB4N80TM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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