[12497pcs Estoque]
- Número da peça:
- PH3120L,115
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PH3120L,115 electronic components. PH3120L,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PH3120L,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PH3120L,115 Atributos do produto
Número da peça :
PH3120L,115
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.65 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4457pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso :
SC-100, SOT-669
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