TK31N60W,S1VF Preços (USD) [11067pcs Estoque]
- 1 pcs$4.09851
- 30 pcs$3.35902
- 120 pcs$3.03128
- 510 pcs$2.53971
- Número da peça:
- TK31N60W,S1VF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 600V 30.8A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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TK31N60W,S1VF Atributos do produto
Número da peça :
TK31N60W,S1VF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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