AUIRF2804WL Preços (USD) [24465pcs Estoque]
- 1 pcs$1.68456
- 3,000 pcs$0.95129
- Número da peça:
- AUIRF2804WL
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF2804WL electronic components. AUIRF2804WL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF2804WL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF2804WL Atributos do produto
Número da peça :
AUIRF2804WL
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
240A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 187A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
225nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7978pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-262-3 Wide
Pacote / caso :
TO-262-3 Wide Leads
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