IXYS - IXTB30N100L

KEY Part #: K6400828

IXTB30N100L Preços (USD) [2171pcs Estoque]

  • 1 pcs$22.06054
  • 25 pcs$21.95078

Número da peça:
IXTB30N100L
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTB30N100L Atributos do produto

Número da peça : IXTB30N100L
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 545nC @ 20V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 13200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 800W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS264™
Pacote / caso : TO-264-3, TO-264AA