ZXMN10A11KTC Preços (USD) [277874pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13311
- Número da peça:
- ZXMN10A11KTC
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A11KTC electronic components. ZXMN10A11KTC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A11KTC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN10A11KTC Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN10A11KTC
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
274pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.11W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252-2
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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