[3087pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXFD80N10Q-8XQ
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 100V DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFD80N10Q-8XQ electronic components. IXFD80N10Q-8XQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFD80N10Q-8XQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFD80N10Q-8XQ Atributos do produto
Número da peça :
IXFD80N10Q-8XQ
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
-
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
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