[2124pcs Estoque]
- Número da peça:
- 2SK4151TZ-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 1A TO-92.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America 2SK4151TZ-E electronic components. 2SK4151TZ-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK4151TZ-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK4151TZ-E Atributos do produto
Número da peça :
2SK4151TZ-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 1A TO-92
Series :
-
Status da Peça :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 Ohm @ 500mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.5nC @ 4V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
98pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
750mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-92
Pacote / caso :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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