IXTH3N200P3HV Preços (USD) [4301pcs Estoque]
- 1 pcs$11.07750
- 10 pcs$10.24820
- 100 pcs$8.75271
- Número da peça:
- IXTH3N200P3HV
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTH3N200P3HV electronic components. IXTH3N200P3HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH3N200P3HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH3N200P3HV Atributos do produto
Número da peça :
IXTH3N200P3HV
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
2000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1860pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
520W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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