ON Semiconductor - NVB072N65S3

KEY Part #: K6417240

NVB072N65S3 Preços (USD) [27523pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.49736

Número da peça:
NVB072N65S3
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
SUPERFET3 650V D2PAK PKG.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVB072N65S3 Atributos do produto

Número da peça : NVB072N65S3
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Series : Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 44A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3300pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 312W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK-3 (TO-263)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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