[12487pcs Estoque]
- Número da peça:
- PH3230S,115
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PH3230S,115 electronic components. PH3230S,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PH3230S,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PH3230S,115 Atributos do produto
Número da peça :
PH3230S,115
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso :
SC-100, SOT-669
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