ON Semiconductor - NVMJS1D3N04CTWG

KEY Part #: K6419011

NVMJS1D3N04CTWG Preços (USD) [87467pcs Estoque]

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Número da peça:
NVMJS1D3N04CTWG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
TRENCH 6 40V SL NFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMJS1D3N04CTWG Atributos do produto

Número da peça : NVMJS1D3N04CTWG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : TRENCH 6 40V SL NFET
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 41A (Ta), 235A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 170µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-LFPAK
Pacote / caso : SOT-1205, 8-LFPAK56

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