IXFN360N10T Preços (USD) [4454pcs Estoque]
- 1 pcs$10.21113
- 10 pcs$9.28175
- 25 pcs$8.58569
- 100 pcs$7.50464
- 250 pcs$6.84247
- 500 pcs$6.40102
- Número da peça:
- IXFN360N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN360N10T electronic components. IXFN360N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN360N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN360N10T Atributos do produto
Número da peça :
IXFN360N10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
360A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
505nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
36000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
830W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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