ZXMN10B08E6TA Preços (USD) [272776pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13560
- 3,000 pcs$0.12049
- Número da peça:
- ZXMN10B08E6TA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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ZXMN10B08E6TA Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN10B08E6TA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
497pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-26
Pacote / caso :
SOT-23-6
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