Diodes Incorporated - ZXMN10B08E6TA

KEY Part #: K6416231

ZXMN10B08E6TA Preços (USD) [272776pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13560
  • 3,000 pcs$0.12049

Número da peça:
ZXMN10B08E6TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10B08E6TA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN10B08E6TA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.2nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 497pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-26
Pacote / caso : SOT-23-6

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