IRFB7446PBF Preços (USD) [59949pcs Estoque]
- 1 pcs$0.54353
- 10 pcs$0.48291
- 100 pcs$0.38152
- 500 pcs$0.27989
- 1,000 pcs$0.22096
- Número da peça:
- IRFB7446PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 120A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IRFB7446PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFB7446PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Series :
HEXFET®, StrongIRFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
93nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3183pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
99W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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