Rohm Semiconductor - RSQ015P10TR

KEY Part #: K6416875

RSQ015P10TR Preços (USD) [299987pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13631
  • 3,000 pcs$0.13563

Número da peça:
RSQ015P10TR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSQ015P10TR Atributos do produto

Número da peça : RSQ015P10TR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 470 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 600mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT6 (SC-95)
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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