[2619pcs Estoque]
- Número da peça:
- GP1M010A080N
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M010A080N electronic components. GP1M010A080N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M010A080N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M010A080N Atributos do produto
Número da peça :
GP1M010A080N
Fabricante :
Global Power Technologies Group
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2336pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
312W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PN
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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