Microsemi Corporation - APTM100UM45DAG

KEY Part #: K6392868

APTM100UM45DAG Preços (USD) [337pcs Estoque]

  • 1 pcs$168.79940
  • 10 pcs$160.65029
  • 25 pcs$154.82967

Número da peça:
APTM100UM45DAG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100UM45DAG Atributos do produto

Número da peça : APTM100UM45DAG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Series : POWER MOS 7®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 215A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 30mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1602nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 42700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 5000W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6
Pacote / caso : SP6

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