Infineon Technologies - IPZ40N04S5L7R4ATMA1

KEY Part #: K6416880

IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Preços (USD) [295252pcs Estoque]

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Número da peça:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 8TDSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 8TDSON
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 34W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerVDFN