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  5. APT18F60B

Microsemi Corporation - APT18F60B

KEY Part #: K6393225

APT18F60B Preços (USD) [18870pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.41437
  • 106 pcs$2.40236
Número da peça:
APT18F60B
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APT18F60B electronic components. APT18F60B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18F60B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18F60B Atributos do produto

Número da peça : APT18F60B
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3550pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 335W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]
Pacote / caso : TO-247-3

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