DMP2007UFG-7 Preços (USD) [248099pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14908
- 2,000 pcs$0.13247
- Número da peça:
- DMP2007UFG-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMP2007UFG-7 electronic components. DMP2007UFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP2007UFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMP2007UFG-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMP2007UFG-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4621pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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