Número da peça :
TPH4R50ANH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 50V
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN