Infineon Technologies - IPP052N06L3GXKSA1

KEY Part #: K6398279

IPP052N06L3GXKSA1 Preços (USD) [57728pcs Estoque]

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Número da peça:
IPP052N06L3GXKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP052N06L3GXKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPP052N06L3GXKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 58µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 115W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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