DMN3016LDV-13 Preços (USD) [326859pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11316
- 3,000 pcs$0.10055
- Número da peça:
- DMN3016LDV-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3016LDV-13 electronic components. DMN3016LDV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3016LDV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3016LDV-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN3016LDV-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1184pF @ 15V
Potência - Max :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
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