SI4808DY-T1-GE3 Preços (USD) [103241pcs Estoque]
- 1 pcs$0.38063
- 2,500 pcs$0.37874
- Número da peça:
- SI4808DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4808DY-T1-GE3 electronic components. SI4808DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4808DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4808DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI4808DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Series :
LITTLE FOOT®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1.1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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