ON Semiconductor - FDB2710

KEY Part #: K6399245

FDB2710 Preços (USD) [27380pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.51274
  • 800 pcs$1.50521

Número da peça:
FDB2710
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB2710 Atributos do produto

Número da peça : FDB2710
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 101nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7280pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 260W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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