SI8819EDB-T2-E1 Preços (USD) [724691pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05104
- Número da peça:
- SI8819EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1 electronic components. SI8819EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8819EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8819EDB-T2-E1 Atributos do produto
Número da peça :
SI8819EDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
900mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pacote / caso :
4-XFBGA
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