IRFB4115GPBF Preços (USD) [16971pcs Estoque]
- 1 pcs$2.33130
- 10 pcs$2.07966
- 100 pcs$1.70533
- 500 pcs$1.38090
- 1,000 pcs$1.10489
- Número da peça:
- IRFB4115GPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFB4115GPBF electronic components. IRFB4115GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4115GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB4115GPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFB4115GPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
104A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 62A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5270pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
380W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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