DMT6009LCT Preços (USD) [92595pcs Estoque]
- 1 pcs$0.40138
- 50 pcs$0.30454
- 100 pcs$0.26649
- 500 pcs$0.20665
- 1,000 pcs$0.16314
- Número da peça:
- DMT6009LCT
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LCT electronic components. DMT6009LCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT6009LCT Atributos do produto
Número da peça :
DMT6009LCT
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
37.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1925pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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