[2067pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSZ023N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSZ023N04LSATMA1 electronic components. BSZ023N04LSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ023N04LSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSZ023N04LSATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSZ023N04LSATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.35 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2630pF @ 20V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TSDSON-8-FL
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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