ON Semiconductor - FQP7N20

KEY Part #: K6401445

FQP7N20 Preços (USD) [73063pcs Estoque]

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  • 10 pcs$0.47203
  • 100 pcs$0.37320
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  • 1,000 pcs$0.21613

Número da peça:
FQP7N20
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP7N20 Atributos do produto

Número da peça : FQP7N20
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 690 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 63W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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