Infineon Technologies - IPU60R600C6BKMA1

KEY Part #: K6399645

IPU60R600C6BKMA1 Preços (USD) [70315pcs Estoque]

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Número da peça:
IPU60R600C6BKMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPU60R600C6BKMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPU60R600C6BKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 63W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO251-3
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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