SQ4532AEY-T1_GE3 Preços (USD) [246141pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15027
- Número da peça:
- SQ4532AEY-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_GE3 electronic components. SQ4532AEY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4532AEY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ4532AEY-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQ4532AEY-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Potência - Max :
3.3W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
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