NVMFS5H663NLT1G Preços (USD) [179365pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20621
- Número da peça:
- NVMFS5H663NLT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- T8 60V LOW COSS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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NVMFS5H663NLT1G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFS5H663NLT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
T8 60V LOW COSS
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16.2A (Ta), 67A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 56µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1131pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.7W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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