Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J56ACT,L3F

KEY Part #: K6421660

SSM3J56ACT,L3F Preços (USD) [1311661pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.03102

Número da peça:
SSM3J56ACT,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J56ACT,L3F Atributos do produto

Número da peça : SSM3J56ACT,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : CST3
Pacote / caso : SC-101, SOT-883