DMN10H120SFG-7 Preços (USD) [320618pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11536
- Número da peça:
- DMN10H120SFG-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN10H120SFG-7 electronic components. DMN10H120SFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H120SFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN10H120SFG-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN10H120SFG-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
549pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI3333-8
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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