ON Semiconductor - FDMA908PZ

KEY Part #: K6417357

FDMA908PZ Preços (USD) [451444pcs Estoque]

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Número da peça:
FDMA908PZ
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMA908PZ Atributos do produto

Número da peça : FDMA908PZ
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.5 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3957pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-MicroFET (2x2)
Pacote / caso : 6-WDFN Exposed Pad

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