SIS903DN-T1-GE3 Preços (USD) [201147pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18388
- Número da peça:
- SIS903DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SIS903DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIS903DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Series :
TrenchFET® Gen III
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2565pF @ 10V
Potência - Max :
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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