[3463pcs Estoque]
- Número da peça:
- PHK12NQ10T,518
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PHK12NQ10T,518 electronic components. PHK12NQ10T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHK12NQ10T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHK12NQ10T,518 Atributos do produto
Número da peça :
PHK12NQ10T,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1965pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
8.9W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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