Infineon Technologies - BSP320SL6433HTMA1

KEY Part #: K6404599

[1956pcs Estoque]


    Número da peça:
    BSP320SL6433HTMA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP320SL6433HTMA1 Atributos do produto

    Número da peça : BSP320SL6433HTMA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
    Series : SIPMOS®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT223-4
    Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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