Infineon Technologies - IPB600N25N3GATMA1

KEY Part #: K6402087

IPB600N25N3GATMA1 Preços (USD) [64581pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.60545

Número da peça:
IPB600N25N3GATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB600N25N3GATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPB600N25N3GATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 136W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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