Diodes Incorporated - ZXMHC3A01N8TC

KEY Part #: K6523305

ZXMHC3A01N8TC Preços (USD) [179158pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.20645
  • 2,500 pcs$0.18272

Número da peça:
ZXMHC3A01N8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMHC3A01N8TC Atributos do produto

Número da peça : ZXMHC3A01N8TC
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.17A, 1.64A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 25V
Potência - Max : 870mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP

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