IPS70R1K4CEAKMA1 Preços (USD) [124694pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.22979
- 100 pcs$0.17714
- 500 pcs$0.13121
- 1,000 pcs$0.10497
- Número da peça:
- IPS70R1K4CEAKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 700V 5.4A TO251.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
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IPS70R1K4CEAKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPS70R1K4CEAKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
225pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
53W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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