IPA80R600P7XKSA1 Preços (USD) [47232pcs Estoque]
- 1 pcs$0.85292
- 10 pcs$0.77181
- 100 pcs$0.62038
- 500 pcs$0.48250
- 1,000 pcs$0.39979
- Número da peça:
- IPA80R600P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPA80R600P7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPA80R600P7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
28W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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