ON Semiconductor - FQT7N10LTF

KEY Part #: K6420150

FQT7N10LTF Preços (USD) [458617pcs Estoque]

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Número da peça:
FQT7N10LTF
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQT7N10LTF Atributos do produto

Número da peça : FQT7N10LTF
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223-4
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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