DMN6070SY-13 Preços (USD) [618854pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05977
- 2,500 pcs$0.05384
- Número da peça:
- DMN6070SY-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN6070SY-13 electronic components. DMN6070SY-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6070SY-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN6070SY-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN6070SY-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
588pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-89-3
Pacote / caso :
TO-243AA
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